| يكتب |
معيار |
على شكل حرف L |
على شكل حرف T |
| نماذج NPN |
EE-SX770/EE-SX870
EE-SX770A/EE-SX870A |
EE-SX771/EE-SX871
EE-SX771A/EE-SX871A |
EE-SX772/EE-SX872
EE-SX772A/EE-SX872A |
| نماذج PNP |
EE-SX770P/EE-SX870P
EE-SX770R/EE-SX870R |
EE-SX771P/EE-SX871P
EE-SX771R/EE-SX871R |
EE-SX772P/EE-SX872P
EE-SX772R/EE-SX872R |
| مسافة الاستشعار |
5 ملم (عرض الفتحة) |
|
|
| كائن الاستشعار |
معتم: 2 × 0.8 مم دقيقة. |
|
|
| المسافة التفاضلية |
0.025 ملم |
|
|
| مصدر الضوء |
GaAs بالأشعة تحت الحمراء LED بطول موجة يبلغ 940 نانومتر |
|
|
| مؤشر |
مؤشر الضوء (أحمر) (يتم تشغيله عند انقطاع الضوء بالنسبة للطرز ذات اللاحقة A أو R) |
|
|
| جهد الإمداد |
5 إلى 24 فولت تيار مستمر ±10%، التموج (pp): 10% كحد أقصى. |
|
|
| الاستهلاك الحالي |
35 مللي أمبير كحد أقصى. (نماذج NPN)، 30 مللي أمبير كحد أقصى. (نماذج PNP) |
|
|
| التحكم في الإخراج |
مجمع NPN المفتوح:
5 إلى 24 فولت تيار مستمر، 100 مللي أمبير كحد أقصى.
تيار حمل 100 مللي أمبير مع جهد متبقي 0.8 فولت كحد أقصى.
تيار تحميل 40 مللي أمبير مع جهد متبقي 0.4 فولت كحد أقصى.
إيقاف التيار (تيار التسرب): 0.5 مللي أمبير كحد أقصى.
مجمع PNP المفتوح:
5 إلى 24 فولت تيار مستمر، 50 مللي أمبير كحد أقصى.
تيار تحميل 50 مللي أمبير مع جهد متبقي 1.3 فولت كحد أقصى.
إيقاف التيار (تيار التسرب): 0.5 مللي أمبير كحد أقصى. |
|
|
| تردد الاستجابة * |
1 كيلو هرتز دقيقة. (متوسط 3 كيلو هرتز) |
|
|
| الإضاءة المحيطة |
1,000 لكس كحد أقصى. مع ضوء الفلورسنت على سطح المتلقي |
|
|
| نطاق درجة الحرارة المحيطة |
التشغيل: – 25 إلى +55 درجة مئوية
التخزين: – 30 إلى +80 درجة مئوية (بدون زينة) |
|
|
| نطاق الرطوبة المحيطة |
التشغيل: من 5% إلى 85%
التخزين: من 5% إلى 95% (بدون تكثيف) |
|
|
| مقاومة الاهتزاز |
التدمير: 20 إلى 2000 هرتز (ذروة التسارع: 100 م/ث2)
سعة مزدوجة 1.5 ملم لمدة ساعتين (فترات 4 دقائق) في اتجاهات X وY وZ |
|
|
| مقاومة الصدمات |
التدمير: 500 م/ث2 لمدة 3 مرات في اتجاهات X وY وZ |
|
|
| درجة الحماية |
IEC60529 IP60 |
|
|
| طريقة الاتصال |
سلكي مسبقًا (طول الكابل القياسي: 2 متر) |
|
|
| الوزن (معبأة) |
تقريبا. 20 جم |
|
|
| مادة |
الحالة: بولي بيوتيلين فثالات (PBT) |
|
|
