| Lèt |
Kalite gwo vitès |
Dirije kalite kèk |
| Modèl No. |
FX2-A3R |
FX2-A3R-dirije |
| Ekipman pou vòltaj |
12 V DC ± 10 % tranch pp 10 % oswa mwens |
12 a 24 V DC ± 10 % tranch pp 10 % oswa mwens |
| Konsomasyon pouvwa |
55 Ma oswa mwens |
20 Ma oswa mwens |
| Randman |
NPN Transistor Inivèsèl
・ Maksimòm koule Kouran: 100 Ma
・ Vòltaj rezidyèl: 1.0 V oswa mwens (nan 100 mA koule aktyèl)
0.4 V oswa mwens (nan 16 mA koule aktyèl) |
|
|
Operasyon pwodiksyon |
Chwazi swa limyè-sou oswa fè nwa-sou, pa opinyon an kontwòl |
|
| Tan repons |
Nan eta limyè: 15 μs oswa mwens, nan eta fè nwa: 35 μs oswa mwens |
Nan eta limyè: 50 ms oswa mwens, nan eta fè nwa: 100 ms oswa mwens |
| Endikatè operasyon |
Wouj ki ap dirije (limyè moute lè pwodiksyon an se sou) |
|
| Ajistè sansiblite |
3-vire potansyomètr kontinuèl |
|
| Proteksyon |
IP66 (IEC) (Remak 2) |
IP62 (IEC) |
| Tanperati anbyen |
-10 a +50 ℃ -14 a +122 ℉
(FX2 -A3R -dirije: 0 a +50 ℃ +32 a +122 ℉)
(pa gen okenn kondansasyon lawouze oswa jivraj pèmèt),
depo: -30 a +70 ℃ -22 a +158 ℉ |
|
| Illuminans anbyen |
500 lx |
- |
| Emitting / resevwa eleman |
Emitting Element: Wouj ki ap dirije
(pik emisyon longèdonn: 660 nm 0.026 mil, ki pa modulasyon) |
K ap resevwa eleman: Photodiode
(Peak longèdonn: 590 nm 0.023 mil) |
| Materyo |
Polikarbonat |
|
| Pwa |
Pwa nèt: 120 g approx. |
|
| Dimansyon |
W14 X H30 X D56 MM W0.551 X H1.181 X D2.205 nan |
|
| Akseswa |
MS-FX-1 (anplifikatè aliye bracket): 1 mete, ajiste tournevis: 1 pc., Ajisteman manch: 1 PC. |
|
