| Kalite |
Atravè gwo bout bwa |
|
| Kalite |
Deteksyon objè minit |
Long deteksyon ranje |
| Pwodiksyon NPN |
EX-L211 |
EX-L212 |
| PNP pwodiksyon |
EX-L211-P |
EX-L212-P |
| Konfòmite direktiv make CE |
EMC Directive, RoHS Directive |
|
| Ranje deteksyon |
1 m 3.281 pye |
3 m 9.843 pye |
| Gwosè plas emisyon (tipik) |
Apeprè. 6 × 4 mm 0.236 × 0.157 nan (vètikal × orizontal)
(nan yon distans deteksyon 1 m) |
Apeprè. 8 × 5.5 mm 0.315 × 0.217 pous (vètikal × orizontal)
(nan yon distans deteksyon 1 m) (Nòt 2) |
| Objè deteksyon |
Objè opak nan ø2 mm ø0.079 nan oswa plis |
Objè opak nan ø3 mm ø0.118 nan oswa plis |
Objè deteksyon minimòm (Tipik)
(Nòt 3) |
Objè opak nan ø0.3 mm ø0.012 pous |
– |
| Repetebilite |
Pèpendikilè ak deteksyon aks: 0.05 mm 0.0020 nan oswa mwens |
|
Repetibilite (Tipik)
(pèpendikilè ak aks deteksyon)
(Nòt 3) |
0.01 mm 0.0004 nan oswa mwens
(tout zòn) |
– |
| Pwovizyon pou vòltaj |
12 a 24 V DC ±10% Ripple PP 10% oswa mwens |
|
| Konsomasyon aktyèl la |
Emetè: 10 mA oswa mwens, Reseptè: 10 mA oswa mwens |
|
| Sòti |
NPN louvri-pèseptè tranzistò
・Maksimòm kouran koule: 50 mA
・Voltaj aplike: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak 0 V)
・Voltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA aktyèl koule)
1 V oswa mwens (nan 16 mA aktyèl koule)
PNP louvri-pèseptè tranzistò
・Maksimòm sous aktyèl: 50 mA
・Voltaj aplike: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak + V)
・Vòltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA sous aktyèl)
1 V oswa mwens (nan 16 mA sous aktyèl)
|
|
|
Operasyon pwodiksyon an |
Limyè-ON / Fè nwa-ON chwazi pa operasyon an pwodiksyon chanje opinyon |
|
| Pwoteksyon kout sikwi |
Enkòpore (pwoteksyon kout sikwi / pwoteksyon envès polarite) |
|
| Tan repons |
0.5 ms oswa mwens |
|
| Endikatè operasyon |
Orange LED (limen lè pwodiksyon an ON) (enkòpore sou reseptè a pou kalite thru-beam) |
|
| Endikatè estabilite |
Dirije vèt (limen anba kondisyon limyè ki estab resevwa oswa kondisyon ki estab fè nwa) (enkòpore sou reseptè a pou kalite thru-beam) |
|
| Endikatè pouvwa |
Dirije vèt (limen lè pouvwa a ON) (enkòpore sou emetè a) |
|
| Ajisteman sansiblite |
Ajisteman kontinyèlman varyab (reseptè) |
– |
| Pwoteksyon |
IP67 (IEC) |
|
| Tanperati anbyen |
-10 a +55 ℃ +14 a +131 ℉ (Pa gen kondansasyon lawouze oswa pa gen kondisyon glas),
Depo: -30 a +70 ℃ -22 a +158 ℉ |
|
| Imidite anbyen |
35 a 85% RH, Depo: 35 a 85% RH |
|
| Illuminasyon anbyen |
Limyè enkandesan: 3,000 lx oswa mwens nan figi k ap resevwa limyè a |
|
| Voltage rezistans |
1,000 V AC pou yon minit. ant tout tèminal ekipman ki konekte ansanm ak patiraj |
|
| Rezistans izolasyon |
20 MΩ, oswa plis, ak 250 V DC megger ant tout tèminal ekipman ki konekte ansanm ak patiraj. |
|
| Rezistans Vibration |
10 a 500 Hz frekans, 1.5 mm 0.059 nan anplitid doub (10 G max.) nan direksyon X, Y ak Z pou de zè de tan chak |
|
| Rezistans chòk |
500 m/s2 akselerasyon (50 G environ) nan direksyon X, Y ak Z twa fwa chak |
|
| Emisyon eleman |
Wouj semiconductor lazè klas 1 (IEC/JIS/FDA) (Remak 4)
(Pwodiksyon maksimòm: 390 μW, longèdonn emisyon pik: 655 nm 0.026 mil) |
|
| Materyèl |
Pati: Polybutylene terephthalate, Devan kouvèti: Acylic, Lantiy: Glass, Pati endikatè: Polyarylate |
|
| Kab |
0.15 mm2 4-nwayo (emeteur nan yon kalite thru-travès: 2-nwayo) kab cabtyre, 2 m 6.562 ft longè |
|
| Kab ekstansyon |
Ekstansyon jiska total 50 m 164.042 ft posib ak 0.3 mm2, oswa plis, kab (Thru-beam tip: Total 100 m 328.084 ft tou de emeteur ak reseptè). |
|
| Pwa |
Pwa nèt: Emetè; 40 g apeprè,
Reseptè; 40 g apeprè,
Pwa brit: 90 g apeprè. |
|
| Akseswar |
MS-EXL2-2 (Plach aliye): 2 pcs. |
|
