| Tipe |
Rive-gwo bout bwa |
|
| Tipe |
Deteksyon objè minit |
Long kèk ranje |
| NPN Sòti |
Ex-L211 |
Ex-L212 |
| PNP Sòti |
Ex-L211-P |
Ex-L212-P |
| CE make konfòmite direktiv |
EMC Directive, ROHS Directive |
|
| Kèk ranje |
1 m 3.281 pye |
3 m 9.843 pye |
| Gwosè plas emisyon (tipik) |
Approx. 6 × 4 mm 0.236 × 0.157 nan (vètikal × orizontal)
(nan yon distans kèk nan 1 m) |
Approx. 8 × 5.5 mm 0.315 × 0.217 nan (vètikal × orizontal)
(nan yon distans kèk nan 1 m) (nòt 2) |
| Kèk objè |
Objè opak nan Ø2 mm Ø0.079 nan oswa plis |
Objè opak nan Ø3 mm Ø0.118 nan oswa plis |
Minimòm objè kèk (tipik)
(nòt 3) |
Objè opak nan Ø0.3 mm Ø0.012 nan |
- |
| Repetabilite |
Pèpandikilè ak kèk aks: 0.05 mm 0.0020 nan oswa mwens |
|
Repetabilite (tipik)
(pèpandikilè ak kèk aks)
(nòt 3) |
0.01 mm 0.0004 nan oswa mwens
(tout zòn) |
- |
| Ekipman pou vòltaj |
12 a 24 V DC ± 10 % tranch pp 10 % oswa mwens |
|
| Konsomasyon aktyèl |
Emeteur: 10 mA oswa mwens, reseptè: 10 mA oswa mwens |
|
| Randman |
NPN Open-Pèseptè Transistor
・ Maksimòm koule Kouran: 50 Ma
・ Aplike Voltage: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak 0 V)
・ Vòltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA koule aktyèl)
1 V oswa mwens (nan 16 Ma koule aktyèl)
PNP louvri-pèseptè tranzistò
・ Maksimòm Sous Kouran: 50 Ma
・ Aplike Voltage: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak +V)
・ Vòltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA sous aktyèl)
1 V oswa mwens (nan 16 mA sous aktyèl)
|
|
|
Operasyon pwodiksyon |
Limyè-sou / fè nwa-sou chwazi pa operasyon an pwodiksyon oblije chanje opinyon |
|
| Pwoteksyon kout-sikwi |
Enkòpore (pwoteksyon kout-sikwi / pwoteksyon polarite envès) |
|
| Tan repons |
0.5 ms oswa mwens |
|
| Endikatè operasyon |
Orange ki ap dirije (limyè moute lè pwodiksyon an se sou) (enkòpore sou reseptè a pou thru-gwo bout bwa kalite) |
|
| Endikatè estabilite |
Green ki ap dirije (limyè moute anba limyè ki estab resevwa kondisyon oswa ki estab kondisyon nwa) (enkòpore sou reseptè a pou thru-gwo bout bwa kalite) |
|
| Endikatè pouvwa |
Green ki ap dirije (limyè moute lè pouvwa a se sou) (enkòpore sou emeteur a) |
|
| Ajistè sansiblite |
Kontinyèlman Varyab ajistè (reseptè) |
- |
| Proteksyon |
IP67 (IEC) |
|
| Tanperati anbyen |
-10 a +55 ℃ +14 a +131 ℉ (pa gen okenn kondansasyon lawouze oswa pa gen okenn kondisyon jivraj),
depo: -30 a +70 ℃ -22 a +158 ℉ |
|
| Imidite anbyen |
35 a 85 % RH, Depo: 35 a 85 % RH |
|
| Illuminans anbyen |
Limyè enkandesan: 3,000 lx oswa mwens nan figi a limyè-k ap resevwa |
|
| Vòltaj kenbe |
1,000 V AC pou yon min. ant tout tèminal ekipman pou konekte ansanm ak patiraj |
|
| Rezistans izolasyon |
20 MΩ, oswa plis, ak 250 V DC megger ant tout tèminal ekipman pou konekte ansanm ak patiraj |
|
| Rezistans Vibration |
10 a 500 frekans Hz, 1.5 mm 0.059 nan anplitid doub (10 g max.) Nan direksyon x, y ak z pou de zè de tan chak |
|
| Rezistans chòk |
500 m/s2 akselerasyon (50 g approx.) Nan x, y ak z direksyon twa fwa chak |
|
| Emitting eleman |
Wouj Semiconductor lazè Klas 1 (IEC / JIS / FDA) (nòt 4)
(maksimòm pwodiksyon: 390 μW, pik emisyon longèdonn: 655 nm 0.026 mil) |
|
| Materyo |
Pajistra: polibutilèn tereftalat, kouvèti devan: acylic, lantiy: vè, pati endikatè: polyarylate |
|
| Kab |
0.15 mm2 4-nwayo (emeteur nan yon tip thru-gwo bout bwa: 2-nwayo) kabtre kab, 2 m 6.562 pye longè |
|
| Ekstansyon kab |
Ekstansyon jiska total 50 m 164.042 pye se posib ak 0.3 mm2, oswa plis, kab (thru-gwo bout bwa kalite: total 100 m 328.084 pye tou de emeteur ak reseptè). |
|
| Pwa |
Pwa nèt: emeteur; 40 g approx.,
Reseptè; 40 g approx.,
Pwa brit: 90 g approx. |
|
| Akseswa |
MS-EXL2-2 (plak aliye): 2 pcs. |
|
