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Fotomicrossensor reflexivo com ajustador de sensibilidade (não modulado) EE-SY671/672
| Modelos | EE-SY671, EE-SY672 | |
| Distância de detecção | 1 a 5 mm (Fator de reflexão: 90%; papel branco 15 × 15 mm) | |
| Objeto de detecção | Transparente ou opaco: 15 × 15 mm mín. | |
| Distância diferencial | 0,5 máx. (com uma distância de detecção de 3 mm, horizontalmente) | |
| Fonte de luz | LED infravermelho GaAs com comprimento de onda de pico de 940 nm | |
| Indicador *1 | Indicador luminoso (vermelho) | |
| Tensão de alimentação | 5 a 24 VCC ±10%, ondulação (pp): 10% máx. | |
| Consumo atual | 40mA máx. | |
| Saída de controle | Coletor aberto NPN: Tensão de alimentação da carga: 5 a 24 VCC Corrente de carga: 100 mA máx. Corrente DESLIGADA: 0,5 mA máx. Corrente de carga de 100 mA com tensão residual de 0,8 V máx. Corrente de carga de 40 mA com tensão residual de 0,4 V máx. |
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| Frequência de resposta *2 | 50 Hz mín. (Média: 500Hz) | |
| Iluminação ambiente *3 | 1.500 lux máx. com luz fluorescente na superfície do receptor | |
| Faixa de temperatura ambiente | Funcionamento: – 25 a +55°C Armazenamento: – 30 a +80°C |
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| Faixa de umidade ambiente | Operacional: 5% a 85% Armazenamento: 5% a 95% |
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| Resistência à vibração | Destruição: 20 a 2.000 Hz (aceleração de pico: 100 m/s2) amplitude dupla de 1,5 mm por 2 h (períodos de 4 minutos) cada nas direções X, Y e Z |
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| Resistência ao choque | Destruição: 500m/s2 por 3 vezes cada nas direções X, Y e Z | |
| Grau de proteção | CEI IP50 | |
| Método de conexão | Conector especial (possível soldagem direta) | |
| Peso | Aprox. 3,5 g (incluindo chave de fenda para ajuste) | |
| de materiais Estojo | Ftalato de polibutileno (PBT) | |
| Emissor/receptor | Policarbonato | |
| Acessórios | Chave de fenda para ajuste |