|
Сик Фотоэлектрический датчик с GTB2S-E1331 GTB2S-E1311
Мы можем поставлять все виды деталей Сик датчик , таких как Сик Емкостная близость Датчик с,Сик Контраст Датчик с,Сик Вилка Датчик с,Сик Магнитная близость Датчик с,Сик Фотоэлектрический Датчик с,Сик Расстояние Датчик с и Сик Волокно Датчик с.
| Датчик / принцип обнаружения | Фотоэлектрическая близость датчик , Подавление фона |
| Размеры (Ш х В х Г) | 7,7 мм х 21,8 мм х 13,5 мм |
| Конструкция корпуса (световое излучение) | Прямоугольный |
| Диапазон срабатывания макс. | 1 мм … 36 мм 1) |
| Диапазон срабатывания | 5 мм … 30 мм 2) |
| Тип подавления фона. от | 38 мм |
| Тип света | Видимый красный свет |
| Источник света | Светодиод PinPoint 3) |
| Размер светового пятна (расстояние) | Ø 3 мм (15 мм) |
| Длина волны | 640 нм |
| Корректирование | Никто |
| Специальные приложения | Обнаружение мелких объектов |
| Напряжение питания | 10 В пост. тока … 30 В пост. тока 1) |
| Пульсация | ≤ 5 В (размах) 2) |
| Текущее потребление | 20 мА 3) |
| Коммутационный выход | НПН |
| Режим переключения | Темное переключение |
| Выходной ток I макс. | < 50 мА |
| Время ответа | < 0,6 мс 4) |
| Частота переключения | 800 Гц 5) |
| Тип подключения | Кабель , 3-проводной, 2 м 6) |
| Кабель материал | ПВХ |
| Кабель диаметр | Ø 3 мм |
| Защита цепи | А 7) С 8) Д 9) |
| Масса | 17,5 г |
| Материал корпуса | Пластик, АБС |
| Материал оптики | Пластик, ПММА |
| Рейтинг корпуса | IP67 |
| Рабочая температура окружающей среды | –25 °С … +50 °С |
| Температура окружающей среды хранения | –40 °С … +75 °С |
| Номер файла UL | НРХ.Е181493 |
