| Spetsifikatsiya |
AJ65SBTB3-8D |
| Kirish nuqtalari soni |
16 ball |
| Izolyatsiya usuli |
Fotokupl |
| Nominal kirish kuchlanishi |
24 V doimiy kuchlanish |
| Nominal kirish oqimi |
Taxminan 7 mA |
| Ishlash kuchlanish diapazoni |
19,2 dan 26,4 V gacha bo'lgan shahar (to'lqinlar nisbati: 5% ichida) |
| Maks. bir vaqtda ON
kirish nuqtalari |
100% |
| ON kuchlanish/ON oqimi |
14 V yoki undan yuqori/3,5 mA yoki undan yuqori |
| O'chirish kuchlanishi/O'chirish oqimi |
6 V yoki undan past/1,7 mA yoki undan past |
| Kirish qarshiligi |
Taxminan 3,3 kVt |
| Umumiy simlarni ulash usuli |
8 ball/1 umumiy (terminal blok B-sim turi) |
| Kirish usuli |
Lavabo/manba umumiy turi |
| Ishg'ol qilingan stantsiyalar soni |
1 ta stantsiya 32 ball (8 balldan foydalaning) |
| Shovqinga chidamlilik |
DC tipidagi shovqin kuchlanishi 500 Vp-p, shovqin kengligi 1 ms, shovqin tashuvchisi chastotasi 25 dan 60 Gts gacha (shovqin simulyatori holati) |
| Chidamli kuchlanish |
500 V o'zgaruvchan tokda 1 daqiqa davomida barcha shahar tashqi terminallari va
zamin |
| Izolyatsiyaga qarshilik |
10 MVt yoki undan yuqori, 500 V DC izolyatsiya qarshiligini tekshirgich bilan o'lchanadi |
| Og'irligi (kg) |
0.18 |
| Tashqi simlar tizimi |
7 nuqtali 2 qismli terminal bloki (uzatish davri, modul quvvat manbai terminali), to'g'ridan-to'g'ri turdagi 18 nuqtali terminal bloki (I/O quvvati)
ta'minot maydoni) (M3 vint) |
| Qo'llaniladigan lehimsiz terminal |
• RAV1.25-3.5 (JIS-C2805 ga muvofiq) [Qo'llaniladigan sim o'lchami: 0,3 dan 1,25 mm2 gacha]
• V2-MS3 (Yaponiya Solderless Terminal Mfg. Co., Ltd.), RAP2-3S RAP2-3SL (Japan Terminal Co., Ltd.) 2-3N, 2-3S (NICHIFU TERMINAL INDUSTRIES Co., Ltd.) [Qo'llaniladigan sim o'lchami: 1,25 - 2 mm2] |
Munualni yuklab oling
