| Modèl |
EE-SPY311, EE-SPY411, EE-SPY312, EE-SPY412 |
| Santi distans |
2 a 5 mm (Faktè refleksyon: 90%; papye blan 15 × 15 mm) |
| Objè deteksyon minimòm |
Fil kwiv pi (0.05 mm dya.) |
| Distans ak background *1 |
20 mm max. (vè ak depo aliminyòm) |
| Distans diferans |
0.2 mm (ak yon distans deteksyon 3 mm, orizontal) |
| Sous limyè |
GaAs enfrawouj ki ap dirije ak yon longèdonn pik nan 940 nm |
| Endikatè *2 |
Endikatè limyè (wouj) |
| Pwovizyon pou vòltaj |
5 a 24 VDC ± 10%, rid (pp): 5% max. |
| Konsomasyon aktyèl la |
Mwayèn: 15 mA max., Pik: 50 mA max. |
| Kontwòl pwodiksyon an |
NPN vòltaj pèsistans yap ogmante jiska:
chajman vòltaj ekipman pou pouvwa: 5 a 24 VDC
chaj aktyèl: 80 mA max.
OFF aktyèl: 0.5 mA max.
80 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 1.0 V max.
10 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 0.4 V max. |
| Frekans repons *3 |
100 Hz min. |
| Ekleraj anbyen |
3,000 lx max. ak limyè enkandesan oswa limyè solèy la sou sifas reseptè a |
tanperati anbyen
Ranje |
Opere: – 10 a +55 ° C
Depo: – 25 a +65 ° C |
| Ranje imidite anbyen |
Fonksyone: 5% a 85%
Depo: 5% a 95% |
| Rezistans Vibration |
Destriksyon: 10 a 50 Hz, 1.5-mm anplitid doub pou 2 h chak nan direksyon X, Y, ak Z |
| Rezistans chòk |
Destriksyon: 500m/s2 pou 3 fwa chak nan direksyon X, Y, ak Z |
| Degre pwoteksyon |
IEC IP50 |
| Metòd konekte |
Konektè espesyal (soude pa posib) |
| Pwa |
Apeprè. 2.6 g |
