| Kalite |
Estanda |
L ki gen fòm |
T ki gen fòm |
| Modèl NPN |
EE-SX770/EE-SX870
EE-SX770A/EE-SX870A |
EE-SX771/EE-SX871
EE-SX771A/EE-SX871A |
EE-SX772/EE-SX872
EE-SX772A/EE-SX872A |
| Modèl PNP |
EE-SX770P/EE-SX870P
EE-SX770R/EE-SX870R |
EE-SX771P/EE-SX871P
EE-SX771R/EE-SX871R |
EE-SX772P/EE-SX872P
EE-SX772R/EE-SX872R |
| Santi distans |
5 mm (lajè plas) |
|
|
| Objè deteksyon |
Opak: 2 × 0.8 mm min. |
|
|
| Distans diferans |
0.025 mm |
|
|
| Sous limyè |
GaAs enfrawouj ki ap dirije ak yon longèdonn pik nan 940 nm |
|
|
| Endikatè |
Endikatè limyè (wouj) (limen lè limyè koupe pou modèl ki gen sifiks A oswa R) |
|
|
| Pwovizyon pou vòltaj |
5 a 24 VDC ± 10%, rid (pp): 10% max. |
|
|
| Konsomasyon aktyèl la |
35 mA max. (Modèl NPN), 30 mA max. (Modèl PNP) |
|
|
| Kontwòl pwodiksyon |
NPN pèseptè louvri:
5 a 24 VDC, 100 mA max.
100 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 0.8 V max.
40 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 0.4 V max.
OFF aktyèl (kouran flit): 0.5 mA max.
PNP pèseptè louvri:
5 a 24 VDC, 50 mA max.
50 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 1.3 V max.
OFF aktyèl (kouran flit): 0.5 mA max. |
|
|
| Frekans repons * |
1 kHz min. (3 kHz mwayèn) |
|
|
| Ekleraj anbyen |
1,000 lx max. ak limyè fliyoresan sou sifas reseptè a |
|
|
| Ranje tanperati anbyen |
Fonksyone: - 25 a +55 ° C
Depo: - 30 a + 80 ° C (ki pa gen okenn glas) |
|
|
| Ranje imidite anbyen |
Fonksyone: 5% a 85%
Depo: 5% a 95% (san kondansasyon) |
|
|
| Rezistans Vibration |
Destriksyon: 20 a 2,000 Hz (akselerasyon pik: 100 m/s2)
1.5-mm anplitid doub pou 2 h (peryòd 4-min) chak nan direksyon X, Y, ak Z. |
|
|
| Rezistans chòk |
Destriksyon: 500 m/s2 pou 3 fwa chak nan direksyon X, Y, ak Z |
|
|
| Degre pwoteksyon |
IEC60529 IP60 |
|
|
| Metòd konekte |
Pre-branche (longè kab estanda: 2 m) |
|
|
| Pwa (pake) |
Apeprè. 20 g |
|
|
| Materyèl |
Ka: Polybutylene phthalate (PBT) |
|
|
