| พิมพ์ |
มาตรฐาน |
รูปตัว L |
รูปตัว T |
| รุ่น NPN |
EE-SX770/EE-SX870
EE-SX770A/EE-SX870A |
EE-SX771/EE-SX871
EE-SX771A/EE-SX871A |
EE-SX772/EE-SX872
EE-SX772A/EE-SX872A |
| รุ่น PNP |
EE-SX770P/EE-SX870P EE
-SX770R/EE-SX870R |
EE-SX771P/EE-SX871P EE
-SX771R/EE-SX871R |
EE-SX772P/EE-SX872P EE
-SX772R/EE-SX872R |
| ระยะการตรวจจับ |
5 มม. (ความกว้างของร่อง) |
|
|
| การตรวจจับวัตถุ |
ทึบแสง: นาที 2 × 0.8 มม. |
|
|
| ระยะทางที่แตกต่างกัน |
0.025 มม |
|
|
| แหล่งกำเนิดแสง |
LED อินฟราเรด GaAs ที่มีความยาวคลื่นสูงสุด 940 นาโนเมตร |
|
|
| ตัวบ่งชี้ |
ไฟแสดงสถานะ (สีแดง) (เปิดเมื่อไฟถูกรบกวนสำหรับรุ่นที่มีคำต่อท้าย A หรือ R) |
|
|
| แรงดันไฟฟ้า |
5 ถึง 24 VDC ±10%, การกระเพื่อม (pp): สูงสุด 10% |
|
|
| การบริโภคในปัจจุบัน |
สูงสุด 35 มิลลิแอมป์ (รุ่น NPN), สูงสุด 30 mA (รุ่น PNP) |
|
|
| เอาต์พุตควบคุม |
NPN open collector:
5 ถึง 24 VDC, สูงสุด 100 mA
กระแสโหลด 100 mA ที่มีแรงดันตกค้างสูงสุด 0.8 V
กระแสโหลด 40 mA ที่มีแรงดันตกค้างสูงสุด 0.4 V
กระแสขณะปิด (กระแสไฟรั่ว): สูงสุด 0.5 mA
PNP open collector:
5 ถึง 24 VDC, สูงสุด 50 mA
กระแสโหลด 50 mA พร้อมแรงดันตกค้างสูงสุด 1.3 V
กระแสขณะปิด (กระแสไฟรั่ว): สูงสุด 0.5 mA |
|
|
| ความถี่ในการตอบกลับ * |
ขั้นต่ำ 1 กิโลเฮิรตซ์ (เฉลี่ย 3 kHz) |
|
|
| การส่องสว่างโดยรอบ |
สูงสุด 1,000 ลิตร โดยมีแสงฟลูออเรสเซนต์อยู่บนพื้นผิวของเครื่องรับ |
|
|
| ช่วงอุณหภูมิแวดล้อม |
ขณะใช้งาน: – 25 ถึง +55 ° C
การเก็บรักษา: – 30 ถึง +80 ° C (ไม่มีน้ำแข็ง) |
|
|
| ช่วงความชื้นโดยรอบ |
ขณะทำงาน: 5% ถึง 85%
การเก็บรักษา: 5% ถึง 95% (ไม่มีการควบแน่น) |
|
|
| ความต้านทานการสั่นสะเทือน |
การทำลายล้าง: 20 ถึง 2,000 Hz (ความเร่งสูงสุด: 100 ม./วินาที)
แอมพลิจูดสองเท่า 1.5 มม. เป็นเวลา 2 ชั่วโมง (คาบ 4 นาที) ในทิศทาง X, Y และ Z |
|
|
| ทนต่อแรงกระแทก |
การทำลายล้าง: 500 ม./วินาที ครั้งละ 3 ครั้งในทิศทาง X, Y และ Z |
|
|
| ระดับการป้องกัน |
IEC60529 IP60 |
|
|
| วิธีการเชื่อมต่อ |
แบบมีสายล่วงหน้า (ความยาวสายเคเบิลมาตรฐาน: 2 ม.) |
|
|
| น้ำหนัก (บรรจุ) |
ประมาณ 20 ก |
|
|
| วัสดุ |
กรณี: โพลีบิวทิลีนพทาเลท (PBT) |
|
|
