| Lèt |
Konvèjan meditativ |
|
| Lèt |
Tach |
Plas liy |
| NPN Sòti |
Ex-L261 |
Ex-L262 |
| PNP Sòti |
Ex-L261-P |
Ex-L262-P |
| CE make konfòmite direktiv |
EMC Directive, ROHS Directive |
|
| Kèk ranje |
20 a 50 mm 0.787 a 1.969 nan
(pwen convergent: 22 mm 0.866 nan) (nòt 2) |
20 a 70 mm 0.787 a 2.756 nan
(pwen convergent: 22 mm 0.866 nan) (nòt 2) |
Gwosè plas emisyon
(tipik) |
Ø1mm 0.039 nan
oswa mwens (nan yon distans kèk nan 50 mm) |
Approx. 5 × 1 mm 0.197 × 0.039 nan (vètikal × orizontal)
(nan yon distans kèk nan 50 mm) |
| Kèk objè |
Objè opak, translusid oswa transparan (nòt 5) |
|
Minimòm objè kèk
(tipik)
(nòt 3) |
Fil lò nan Ø0.01 mm Ø0.0004 nan |
- |
| Isterez |
20 % oswa mwens nan distans operasyon |
|
| Repetabilite |
Pèpandikilè ak kèk aks: 0.2 mm 0.0080 nan oswa mwens |
|
| Ekipman pou vòltaj |
12 a 24 V DC ± 10 % tranch pp 10 % oswa mwens |
|
| Konsomasyon aktyèl |
15 Ma oswa mwens |
|
| Randman |
NPN Open-Pèseptè Transistor
・ Maksimòm koule Kouran: 50 Ma
・ Aplike Voltage: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak 0 V)
・ Vòltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA koule aktyèl)
1 V oswa mwens (nan 16 Ma koule aktyèl)
PNP louvri-pèseptè tranzistò
・ Maksimòm Sous Kouran: 50 Ma
・ Aplike Voltage: 26.4 V DC oswa mwens (ant pwodiksyon ak +V)
・ Vòltaj rezidyèl: 2 V oswa mwens (nan 50 mA sous aktyèl)
1 V oswa mwens (nan 16 mA sous aktyèl)
|
|
| Operasyon pwodiksyon |
Limyè-sou / fè nwa-sou chwazi pa operasyon an pwodiksyon oblije chanje opinyon |
|
| Pwoteksyon kout-sikwi |
Enkòpore (pwoteksyon kout-sikwi / pwoteksyon polarite envès) |
|
| Tan repons |
0.5 ms oswa mwens |
|
| Endikatè operasyon |
Orange ki ap dirije (limyè moute lè pwodiksyon an se sou)
(enkòpore sou reseptè a pou thru-gwo bout bwa kalite) |
|
| Endikatè estabilite |
Green ki ap dirije (limyè moute anba limyè ki estab resevwa kondisyon oswa ki estab kondisyon nwa)
(enkòpore sou reseptè a pou thru-gwo bout bwa kalite) |
|
| Fonksyon prevansyon entèferans otomatik |
Enkòpore (de detèktè ka monte fèmen ansanm.) |
|
| Ajistè sansiblite |
Kontinyèlman ajistè varyab |
|
| Proteksyon |
IP67 （IEC） |
|
| Tanperati anbyen |
-10 a +55 ℃ +14 a +131 ℉ (pa gen okenn kondansasyon lawouze oswa jivraj pèmèt),
depo: –30 a +70 ℃ –22 a +158 ℉ |
|
| Imidite anbyen |
35 a 85%RH, Depo: 35 a 85%RH |
|
| Emitting eleman |
Wouj Semiconductor lazè Klas 1 (IEC / JIS / FDA) (Remak 4)
(Maksimòm Sòti: EX-L261 □ 1 MW, EX-L262 □ 1.3 MW, Peak Emisyon Longèdonn: 655 nm 0.026 mil) |
|
| Materyo |
Pajistra: polibutilèn tereftalat, kouvèti devan: acylic, lantiy: vè, pati endikatè: polyarylate |
|
| Kab |
0.15 mm2 4-nwayo kab Cabtyre, 2 m 6.562 pye longè |
|
| Ekstansyon kab |
Ekstansyon jiska total 50 m 164.042 pye posib ak 0.3 mm2, oswa plis, kab |
|
| Pwa |
Pwa nèt: 45 g approx., Pwa brit: 60 g approx. |
|
| Akseswa |
MS-EXL2-3 (Plak Mounting): 1 PC. |
|
