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Photomicrocapteur réfléchissant avec réglage de sensibilité (non modulé) EE-SY671/672
| Modèles | EE-SY671, EE-SY672 | |
| Distance de détection | 1 à 5 mm (Facteur de réflexion : 90 % ; papier blanc 15 × 15 mm) | |
| Objet à détecter | Transparent ou opaque : 15 × 15 mm min. | |
| Distance différentielle | 0,5 maximum. (avec une distance de détection de 3 mm, horizontalement) | |
| Source lumineuse | LED infrarouge GaAs avec une longueur d'onde maximale de 940 nm | |
| Indicateur *1 | Indicateur lumineux (rouge) | |
| Tension d'alimentation | 5 à 24 VCC ±10 %, ondulation (pp) : 10 % max. | |
| Consommation actuelle | 40 mA maximum. | |
| Sortie de contrôle | Collecteur ouvert NPN : Tension d'alimentation de charge : 5 à 24 VCC Courant de charge : 100 mA max. Courant d'arrêt : 0,5 mA max. Courant de charge de 100 mA avec une tension résiduelle de 0,8 V max. Courant de charge de 40 mA avec une tension résiduelle de 0,4 V max. |
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| Fréquence de réponse *2 | 50 Hz minimum. (Moyenne : 500 Hz) | |
| Éclairage ambiant *3 | 1 500 lux maximum. avec lumière fluorescente sur la surface du récepteur | |
| Plage de température ambiante | Fonctionnement : – 25 à +55°C Stockage : – 30 à +80°C |
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| Plage d'humidité ambiante | Fonctionnement : 5 % à 85 % Stockage : 5 % à 95 % |
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| Résistance aux vibrations | Destruction : 20 à 2 000 Hz (accélération maximale : 100 m/s2) double amplitude de 1,5 mm pendant 2 h (périodes de 4 min) chacune dans les directions X, Y et Z |
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| Résistance aux chocs | Destruction : 500 m/s2 3 fois chacune dans les directions X, Y et Z | |
| Degré de protection | CEI IP50 | |
| Méthode de connexion | Connecteur spécial (soudage direct possible) | |
| Poids | Env. 3,5 g (avec tournevis pour le réglage) | |
| matériel Étui | Phtalate de polybutylène (PBT) | |
| Émetteur/récepteur | Polycarbonate | |
| Accessoires | Tournevis pour réglage |