अनुच्छेद संख्या |
6ES7416-2XP07-0AB0 |
6ES7416-3XS07-0AB0 |
6ES7416-3ES07-0AB0 |
अनुच्छेद संख्या |
सीपीयू 416-2, एमपीआई, प्रोफिबस, 8 एमबी |
सीपीयू 416-3, 16 एमबी, 3 इंटरफेस |
सीपीयू416-3 पीएन/डीपी, 16 एमबी, 3 इंटरफेस |
सामान्य जानकारी |
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उत्पाद प्रकार पदनाम |
सीपीयू 416-2 |
सीपीयू 416-3 |
सीपीयू 416-3 पीएन/डीपी |
HW कार्यात्मक स्थिति |
01 |
01 |
01 |
प्रक्रिया यंत्र सामग्री संस्करण |
वी7.0 |
वी7.0 |
वी7.0 |
उत्पाद कार्य |
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● आइसोक्रोनस मोड |
हाँ; केवल PROFIBUS के लिए |
हाँ; केवल PROFIBUS के लिए |
हाँ; PROFIBUS DP या PROFINET इंटरफ़ेस के माध्यम से |
इंजीनियरिंग के साथ |
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● प्रोग्रामिंग पैकेज |
चरण 7 वी5.4 या उच्चतर एचएसपी 261 के साथ |
चरण 7 वी5.4 या उच्चतर एचएसपी 261 के साथ |
चरण 7 वी5.5 या उच्चतर एचएसपी 262 के साथ |
CiR - RUN में कॉन्फ़िगरेशन |
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CiR तुल्यकालन समय, मूल भार |
100 एमएस |
100 एमएस |
100 एमएस |
सीआईआर सिंक्रनाइज़ेशन समय, प्रति I/O बाइट समय |
10 μs |
10 μs |
10 μs |
वोल्टेज आपूर्ति |
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रेटेड मूल्य (डीसी) |
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● 24 वी डीसी |
नहीं; सिस्टम बिजली आपूर्ति के माध्यम से बिजली की आपूर्ति |
नहीं; सिस्टम बिजली आपूर्ति के माध्यम से बिजली की आपूर्ति |
नहीं; सिस्टम बिजली आपूर्ति के माध्यम से बिजली की आपूर्ति |
आगत बहाव |
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बैकप्लेन बस से 5 वी डीसी, टाइप। |
0.9 ए |
1.1 ए |
1.3 ए |
बैकप्लेन बस से 5 वी डीसी, अधिकतम। |
1.1 ए |
1.3 ए |
1.6 ए |
बैकप्लेन बस से 24 वी डीसी, अधिकतम। |
300 एमए; 150 एमए प्रति डीपी इंटरफ़ेस |
450 एमए; 150 एमए प्रति डीपी इंटरफ़ेस |
300 एमए; 150 एमए प्रति डीपी इंटरफ़ेस |
इंटरफ़ेस से 5 वी डीसी, अधिकतम। |
90 एमए; प्रत्येक DP इंटरफ़ेस पर |
90 एमए; प्रत्येक DP इंटरफ़ेस पर |
90 एमए; प्रत्येक DP इंटरफ़ेस पर |
बिजली की हानि |
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बिजली की हानि, टाइप. |
4.5 डब्ल्यू |
5.5 डब्ल्यू |
6.5 डब्ल्यू |
बिजली हानि, अधिकतम. |
5.5 डब्ल्यू |
6.5 डब्ल्यू |
8 डब्ल्यू |
याद |
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मेमोरी का प्रकार |
टक्कर मारना |
टक्कर मारना |
टक्कर मारना |
कार्य स्मृति |
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● एकीकृत |
8 एमबाइट |
16 एमबाइट |
16 एमबाइट |
● एकीकृत (कार्यक्रम के लिए) |
4 एमबाइट |
8 एमबाइट |
8 एमबाइट |
● एकीकृत (डेटा के लिए) |
4 एमबाइट |
8 एमबाइट |
8 एमबाइट |
● विस्तार योग्य |
नहीं |
नहीं |
नहीं |
मेमोरी लोड करें |
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● विस्तार योग्य FEPROM |
हाँ; मेमोरी कार्ड (फ़्लैश) के साथ |
हाँ; मेमोरी कार्ड (फ़्लैश) के साथ |
हाँ; मेमोरी कार्ड (फ़्लैश) के साथ |
● विस्तार योग्य FEPROM, अधिकतम। |
64 एमबाइट |
64 एमबाइट |
64 एमबाइट |
● एकीकृत रैम, अधिकतम। |
1 एमबाइट |
1 एमबाइट |
1 एमबाइट |
● विस्तारणीय रैम |
हाँ; मेमोरी कार्ड (रैम) के साथ |
हाँ; मेमोरी कार्ड (रैम) के साथ |
हाँ; मेमोरी कार्ड (रैम) के साथ |
● विस्तार योग्य रैम, अधिकतम। |
64 एमबाइट |
64 एमबाइट |
64 एमबाइट |
बैकअप |
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● वर्तमान |
हाँ |
हाँ |
हाँ |
● बैटरी के साथ |
हाँ; सभी डेटा |
हाँ; सभी डेटा |
हाँ; सभी डेटा |
● बिना बैटरी के |
नहीं |
नहीं |
नहीं |
बैटरी |
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बैकअप बैटरी |
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● बैकअप करंट, टाइप करें। |
180 µA; 40 डिग्री सेल्सियस तक |
180 µA; 40 डिग्री सेल्सियस तक |
180 µA; 40 डिग्री सेल्सियस तक |
● बैकअप वर्तमान, अधिकतम। |
850 μA |
850 μA |
850 μA |
● बैकअप समय, अधिकतम। |
मॉड्यूल डेटा मैनुअल में माध्यमिक स्थितियों और प्रभाव के कारकों से निपटा गया |
मॉड्यूल डेटा मैनुअल में माध्यमिक स्थितियों और प्रभाव के कारकों से निपटा गया |
मॉड्यूल डेटा मैनुअल में माध्यमिक स्थितियों और प्रभाव के कारकों से निपटा गया |
● सीपीयू को बाहरी बैकअप वोल्टेज की फीडिंग |
5 वी डीसी से 15 वी डीसी |
5 वी डीसी से 15 वी डीसी |
5 वी डीसी से 15 वी डीसी |
सीपीयू प्रसंस्करण समय |
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बिट संचालन के लिए, टाइप करें। |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
शब्द संचालन के लिए, टाइप करें। |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
निश्चित बिंदु अंकगणित के लिए, टाइप करें। |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
12.5 एनएस |
फ़्लोटिंग पॉइंट अंकगणित के लिए, टाइप करें। |
25 एन.एस |
25 एन.एस |
25 एन.एस |
सीपीयू-ब्लॉक |
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डाटाबेस |
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● संख्या, अधिकतम। |
10 000; संख्या सीमा: 1 से 16000 तक |
10 000; संख्या सीमा: 1 से 16000 तक |
10 000; संख्या सीमा: 1 से 16000 तक |
● आकार, अधिकतम। |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
अमेरिकन प्लान |
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● संख्या, अधिकतम। |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
● आकार, अधिकतम। |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
एफसी |
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● संख्या, अधिकतम। |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
5 000; संख्या सीमा: 0 से 7999 तक |
● आकार, अधिकतम। |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
64 किलोबाइट |
