| Modèl |
EE- SPY801/802 |
|
|
Distans deteksyon
(objè deteksyon estanda) |
0 a 5 mm (Papye blan: 15 × 15 mm2, faktè refleksyon: 90%)
0 a 3 mm (Papye nwa: 15 × 15 mm2, faktè refleksyon: 10%) |
|
|
| Objè deteksyon |
Transparan oswa opak transpòtè wafer |
|
|
| Endikatè operasyon |
Limen zoranj lè yo detekte objè. |
|
|
| Sous limyè |
GaAs enfrawouj ki ap dirije ak yon longèdonn pik nan 940 nm |
|
|
| Pwovizyon pou vòltaj |
12 a 24 VDC ± 10%, rid (pp): 5% max. |
|
|
| Konsomasyon aktyèl la |
30 mA max. |
|
|
| Kontwòl pwodiksyon an |
NPN louvri pèseptè:
Chaj vòltaj ekipman pou pouvwa: 5 a 24 VDC
chaj aktyèl: 100 mA max.
OFF aktyèl: 0.5 mA max.
100 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 0.8 V max.
40 mA chaj aktyèl ak yon vòltaj rezidyèl nan 0.4 V max. |
|
|
| Tan repons |
5 ms max. |
|
|
| Ekleraj anbyen |
3,000 lx max. ak limyè enkandesan oswa limyè solèy la sou sifas reseptè a |
|
|
| Ranje tanperati anbyen |
Fonksyone: – 10 a +55 ° C
Depo: – 25 a +65 ° C (ki pa gen okenn glas) |
|
|
| Ranje imidite anbyen |
Fonksyone: 5% a 85%
Depo: 5% a 95% (san kondansasyon) |
|
|
| Rezistans Vibration |
Destriksyon: 1 a 500 Hz, 1.0-mm anplitid sèl oswa 150 m/s2 chak nan direksyon X, Y, ak Z
3 fwa ak pou 11 min. chak |
|
|
| Rezistans chòk |
Destriksyon: 500 m/s2 pou 3 fwa chak nan direksyon X, Y, ak Z |
|
|
| Degre pwoteksyon |
IEC IP30 |
|
|
| Metòd konekte |
Pre-branche (longè estanda: 2 m) |
|
|
| Pwa (pake) |
Capteur: Apeprè. 43 g; Pwodwi pou Telefòn (Pedestal): Approx. 9 g |
|
|
| Modèl pwodiksyon NPN |
EE-SA801A |
EE-SA801A-R |
EE-SA701-R |
| PNP pwodiksyon |
EE-SA801R |
EE-SA801R-R |
EE-SA701P-R |
| Endikatè |
Limyè wouj lè actuator bourade. |
Limen wouj pandan ke pa gen okenn chaj
sou actuator |
|
| Pozisyon lib (FP) |
5.0±0.4 milimèt |
|
|
| Pozisyon operasyon (OP) |
3.5 a 4.5 mm *2 |
|
|
| Pozisyon total vwayaj (TTP) |
0 mm max. |
|
|
| Operasyon chaj *3 |
3 N max. (tipik: 0.5 N) |
|
|
| Pwovizyon pou vòltaj |
12 a 24 VDC±10%, rid (pp): 10% max. |
|
|
| Konsomasyon aktyèl la |
35 mA max. |
|
|
| Kontwòl pwodiksyon an |
Modèl NPN:
NPN pèseptè louvri, 5 a 24 VDC, 50 mA max.;
vòltaj rezidyèl nan 0.4 V max. nan 50-mA chaj aktyèl
OFF aktyèl: 0.5 mA max.
Modèl PNP:
PNP pèseptè louvri, 5 a 24 VDC, 50 mA max.;
vòltaj rezidyèl nan 0.4 V max. nan 50-mA chaj aktyèl
OFF aktyèl: 0.5 mA max. |
|
|
| Pwoteksyon sikui yo |
Pwoteksyon polarite ranvèse ekipman pou pouvwa |
|
|
| Ranje tanperati anbyen |
Fonksyone: -25 a + 55 ° C
Depo: -30 a + 60 ° C (ki pa gen okenn glas oswa kondansasyon) |
|
|
| Ranje imidite anbyen |
Fonksyone: 5% a 85%
Depo: 5% a 95% (san kondansasyon) |
|
|
| Durabilité mekanik |
5,000,000 operasyon min. (Yon operasyon se soti nan pozisyon lib la nan
pozisyon opere ak tounen nan pozisyon lib la.) |
|
|
| Rezistans Vibration |
Destriksyon: 10 a 500 Hz, 1.0-mm anplitid sèl oswa 150 m/s2 3 fwa chak nan
direksyon X, Y, ak Z pou 11 min. chak |
|
|
| Rezistans chòk |
Destriksyon: 500 m/s2 pou 3 fwa chak nan direksyon X, Y, ak Z |
|
|
| Degre pwoteksyon |
IEC IP40 |
|
|
| Metòd konekte |
Pre-branche (
longè kab estanda: 1 m) |
Pre-branche (longè kab robo: 1 m) |
|
| Pwa |
Apeprè. 16.1 g |
|
|
