លេខអត្ថបទ |
6ES7416-2XP07-0AB0 |
6ES7416-3XS07-0AB0 |
6ES7416-3ES07-0AB0 |
លេខអត្ថបទ |
ស៊ីភីយូ 416-2, MPI, PROFIBUS, 8 MB |
ស៊ីភីយូ 416-3, 16 MB, 3 ចំណុចប្រទាក់ |
CPU416-3 PN/DP, 16 MB, 3 ចំណុចប្រទាក់ |
ព័ត៌មានទូទៅ |
|
|
|
ការកំណត់ប្រភេទផលិតផល |
ស៊ីភីយូ 416-2 |
ស៊ីភីយូ 416-3 |
ស៊ីភីយូ 416-3 PN/DP |
ស្ថានភាពមុខងារ HW |
01 |
01 |
01 |
កំណែកម្មវិធីបង្កប់ |
V7.0 |
V7.0 |
V7.0 |
មុខងារផលិតផល |
|
|
|
● របៀប isochronous |
បាទ; សម្រាប់តែ PROFIBUS ប៉ុណ្ណោះ។ |
បាទ; សម្រាប់តែ PROFIBUS ប៉ុណ្ណោះ។ |
បាទ; តាមរយៈ PROFIBUS DP ឬ PROFINET ចំណុចប្រទាក់ |
វិស្វកម្មជាមួយ |
|
|
|
● កញ្ចប់កម្មវិធី |
ជំហានទី 7 V5.4 ឬខ្ពស់ជាងនេះជាមួយ HSP 261 |
ជំហានទី 7 V5.4 ឬខ្ពស់ជាងនេះជាមួយ HSP 261 |
ជំហានទី 7 V5.5 ឬខ្ពស់ជាងនេះជាមួយ HSP 262 |
CiR - ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធនៅក្នុង RUN |
|
|
|
ពេលវេលាធ្វើសមកាលកម្ម CiR បន្ទុកមូលដ្ឋាន |
100 ms |
100 ms |
100 ms |
ពេលវេលាធ្វើសមកាលកម្ម CiR ពេលវេលាក្នុងមួយបៃ I/O |
10 µs |
10 µs |
10 µs |
វ៉ុលផ្គត់ផ្គង់ |
|
|
|
តម្លៃវាយតម្លៃ (DC) |
|
|
|
● 24 V DC |
ទេ ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលតាមរយៈការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្រព័ន្ធ |
ទេ ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលតាមរយៈការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្រព័ន្ធ |
ទេ ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលតាមរយៈការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្រព័ន្ធ |
បញ្ចូលចរន្ត |
|
|
|
ពីឡានក្រុងខាងក្រោយ 5 V DC វាយ។ |
0.9 ក |
១.១ ក |
១.៣ ក |
ពីឡានក្រុងខាងក្រោយ 5 V DC, អតិបរមា។ |
១.១ ក |
១.៣ ក |
១.៦ ក |
ពីឡានក្រុងខាងក្រោយ 24 V DC, អតិបរមា។ |
300 mA; 150 mA ក្នុងមួយចំណុចប្រទាក់ DP |
450 mA; 150 mA ក្នុងមួយចំណុចប្រទាក់ DP |
300 mA; 150 mA ក្នុងមួយចំណុចប្រទាក់ DP |
ពីចំណុចប្រទាក់ 5 V DC, អតិបរមា។ |
90 mA; នៅចំណុចប្រទាក់ DP នីមួយៗ |
90 mA; នៅចំណុចប្រទាក់ DP នីមួយៗ |
90 mA; នៅចំណុចប្រទាក់ DP នីមួយៗ |
ការបាត់បង់ថាមពល |
|
|
|
ការបាត់បង់ថាមពល, វាយ។ |
4.5 វ៉ |
5.5 វ៉ |
6.5 វ៉ |
ការបាត់បង់ថាមពល, អតិបរមា។ |
5.5 វ៉ |
6.5 វ៉ |
៨ វ |
ការចងចាំ |
|
|
|
ប្រភេទនៃការចងចាំ |
RAM |
RAM |
RAM |
ការចងចាំការងារ |
|
|
|
● រួមបញ្ចូលគ្នា |
៨ មេកាបៃ |
១៦ មេកាបៃ |
១៦ មេកាបៃ |
● រួមបញ្ចូលគ្នា (សម្រាប់កម្មវិធី) |
4 Mbyte |
៨ មេកាបៃ |
៨ មេកាបៃ |
● រួមបញ្ចូលគ្នា (សម្រាប់ទិន្នន័យ) |
4 Mbyte |
៨ មេកាបៃ |
៨ មេកាបៃ |
● អាចពង្រីកបាន។ |
ទេ |
ទេ |
ទេ |
ផ្ទុកអង្គចងចាំ |
|
|
|
● FEPROM ដែលអាចពង្រីកបាន។ |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (FLASH) |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (FLASH) |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (FLASH) |
● FEPROM ដែលអាចពង្រីកបាន, អតិបរមា។ |
64 មេកាបៃ |
64 មេកាបៃ |
64 មេកាបៃ |
● RAM រួមបញ្ចូលគ្នា អតិបរមា។ |
1 មេកាបៃ |
1 មេកាបៃ |
1 មេកាបៃ |
● RAM ដែលអាចពង្រីកបាន។ |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (RAM) |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (RAM) |
បាទ; ជាមួយ Memory Card (RAM) |
● RAM ដែលអាចពង្រីកបាន អតិបរមា។ |
64 មេកាបៃ |
64 មេកាបៃ |
64 មេកាបៃ |
បម្រុងទុក |
|
|
|
●មានវត្តមាន |
បាទ |
បាទ |
បាទ |
● ជាមួយថ្ម |
បាទ; ទិន្នន័យទាំងអស់។ |
បាទ; ទិន្នន័យទាំងអស់។ |
បាទ; ទិន្នន័យទាំងអស់។ |
● ដោយគ្មានថ្ម |
ទេ |
ទេ |
ទេ |
ថ្ម |
|
|
|
ថ្មបម្រុងទុក |
|
|
|
● បម្រុងទុកបច្ចុប្បន្ន វាយ។ |
180 µA; រហូតដល់ 40 ° C |
180 µA; រហូតដល់ 40 ° C |
180 µA; រហូតដល់ 40 ° C |
● ចរន្តបម្រុងទុក អតិបរមា។ |
850 µA |
850 µA |
850 µA |
● ពេលវេលាបម្រុងទុក អតិបរមា។ |
ដោះស្រាយនៅក្នុងសៀវភៅដៃទិន្នន័យម៉ូឌុលជាមួយនឹងលក្ខខណ្ឌបន្ទាប់បន្សំ និងកត្តានៃឥទ្ធិពល |
ដោះស្រាយនៅក្នុងសៀវភៅដៃទិន្នន័យម៉ូឌុលជាមួយនឹងលក្ខខណ្ឌបន្ទាប់បន្សំ និងកត្តានៃឥទ្ធិពល |
ដោះស្រាយនៅក្នុងសៀវភៅដៃទិន្នន័យម៉ូឌុលជាមួយនឹងលក្ខខណ្ឌបន្ទាប់បន្សំ និងកត្តានៃឥទ្ធិពល |
● ការផ្តល់ចំណីនៃវ៉ុលបម្រុងខាងក្រៅទៅស៊ីភីយូ |
5 V DC ទៅ 15 V DC |
5 V DC ទៅ 15 V DC |
5 V DC ទៅ 15 V DC |
ពេលវេលាដំណើរការស៊ីភីយូ |
|
|
|
សម្រាប់ប្រតិបត្តិការប៊ីត សូមវាយបញ្ចូល។ |
12.5 ន |
12.5 ន |
12.5 ន |
សម្រាប់ប្រតិបត្តិការពាក្យ វាយ។ |
12.5 ន |
12.5 ន |
12.5 ន |
សម្រាប់នព្វន្ធចំណុចថេរ វាយ។ |
12.5 ន |
12.5 ន |
12.5 ន |
សម្រាប់លេខនព្វន្ធចំណុចអណ្តែត វាយ។ |
២៥ ន |
២៥ ន |
២៥ ន |
ប្លុកស៊ីភីយូ |
|
|
|
DB |
|
|
|
● លេខ អតិបរមា។ |
10 000; ជួរលេខ៖ 1 ដល់ 16000 |
10 000; ជួរលេខ៖ 1 ដល់ 16000 |
10 000; ជួរលេខ៖ 1 ដល់ 16000 |
● ទំហំ, អតិបរមា។ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
FB |
|
|
|
● លេខ អតិបរមា។ |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
● ទំហំ, អតិបរមា។ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
FC |
|
|
|
● លេខ អតិបរមា។ |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
5 000; ជួរលេខ៖ 0 ដល់ 7999 |
● ទំហំ, អតិបរមា។ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
៦៤ គីឡូបៃ |
